Российские и китайские ученые разработали технологию для создания электроники нового типа

23-10-2022 08:02

Российские учёные из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с зарубежными коллегами из Института физики Китайской академии наук разрабатывают прототип первого элемента магнитной памяти.

Магнитная память позволит создать смартфон, который сможет работать без подзарядки несколько недель. Возможность внедрения таких систем подтверждается результатами фундаментальных и прикладных исследований. В будущем эта технология сможет дополнить или заменить полупроводниковую электронику.

В основе нового механизма лежат принципы спин-орбитроники — новой области науки и техники, которая ориентирована на прорывные решения в сфере энергоэффективной электроники.

Спиновые системы более энергоэффективны, быстры и надежны, чем традиционные системы записи и хранения информации, такие как жёсткие магнитные диски (HDD), твердотельная память(SSD) и оперативная память (DRAM, SRAM).

Кроме того, эти системы позволят экономить энергию: время автономной работы от одной зарядки телефонов или ноутбуков с такой памятью увеличится в несколько раз.

Также авторы работы отмечают, что при отключении электропитания такие компьютеры не будут терять записанные в оперативную память данные.

Уже получены положительные результаты экспериментов на основе фундаментальных исследований. Сейчас учёные работают над прототипом первого элемента магнитной памяти.

Фото: pexels.com

Loading

Loading

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...

Loading